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GEX06260 Abstract: Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820 OHR01882 transistor SR 51 Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 1.8 1.2 29 27 Cathode Diode Collector (Transistor) 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position GEX06260 fex06260 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Approx. weight 0.5 g	Original	PDF	GEX06260 fex06260 OHR01041 OHR01882 OHR00860 GEX06260 Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820 OHR01882 transistor SR 51
Untitled Abstract: No abstract text available Text: Opto Semiconductors GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.4 0.6 0.4 0.6 0.4 5.7 5.1 29 27 Chip position Cathode Diode Collector (Transistor) fex06260 1.8 1.2 GEX06260	Original	PDF	fex06260 GEX06260 OHR01041 OHR01882 OHR00860
GEX06626 Abstract: GEX06984 Q62702-P5059 Q62702-P5060 Text: Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter SFH 4591 SFH 4592 Area not flat 1.8 1.2 29.5 27.5 0.6 0.4 5.7 5.1 SFH 4591 Chip position fex06260 Anode 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.4 0.6 0.4 9.0 8.2 7.8 7.5 GEX06626 Area not flat	Original	PDF	fex06260 GEX06626 GEX06984 OHR00397 OHF00361 GEX06626 GEX06984 Q62702-P5059 Q62702-P5060
Q62703-Q1031 Abstract: Q62703-Q1819 Q62703-Q1820 Text: LD 274 LD 274 fex06260 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Sehr enger Abstrahlwinkel ● GaAs-IR-LED, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren	Original	PDF	fex06260 Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820
GEX06260 Abstract: Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820 Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 1.8 1.2 29 27 Cathode Diode Collector (Transistor) 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position GEX06260 fex06260 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Approx. weight 0.5 g	Original	PDF	GEX06260 fex06260 OHR01041 OHR01882 OHR00860 GEX06260 Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820
LD274 Abstract: Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820 Text: LD 274 LD 274 fex06260 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Sehr enger Abstrahlwinkel ● GaAs-IR-LED, hergestellt im ● Extremely narrow half angle	Original	PDF	fex06260 LD274 Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820
isl 6251 schematic Abstract: smd transistor A4S Siemens OFW 361 smd marking b4h 6Bs smd transistor NPN TRANSISTORS LIST ACCORDING TO CURRENT, VOLTAG Transistors Diodes smd A7H a4s smd transistor npn transistor ss100 smd transistor 6Bs Text: SIEMENS Halbleiter-Datenblätter Im Produktbereich „Halbleiter“ konnten uns leider von SIEMENS nicht alle Daten rechtzeitig zur Verfügung gestellt werden. Wir werden uns bemühen, die Auswahl an Datenblättern dieses Bereichs für die nächste Ausgabe dieser CD zu vervollständigen.	Original	PDF	Q62702-A772 Q62702-A731 Q62702-A773 OT-23 isl 6251 schematic smd transistor A4S Siemens OFW 361 smd marking b4h 6Bs smd transistor NPN TRANSISTORS LIST ACCORDING TO CURRENT, VOLTAG Transistors Diodes smd A7H a4s smd transistor npn transistor ss100 smd transistor 6Bs